M15KP30AE3
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
M15KP30AE3中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 15000 W
最小反向击穿电压 33.3 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-204AR
外形尺寸
封装 DO-204AR
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
M15KP30AE3引脚图与封装图 
M15KP30AE3引脚图
M15KP30AE3封装图
M15KP30AE3封装焊盘图
在线购买M15KP30AE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| M15KP30AE3 | Microsemi 美高森美 | TVS 15kW UNIDIR DO-204AR | 搜索库存 |
替代型号M15KP30AE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： M15KP30AE3 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | TVS 15kW UNIDIR DO-204AR | 当前型号 |
| 型号： MA15KP30AE3 品牌： 美高森美 封装： CASE | 完全替代 | 30V 15000W | M15KP30AE3和MA15KP30AE3的区别 |
| 型号： MX15KP30A 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | 30V 15000W | M15KP30AE3和MX15KP30A的区别 |
| 型号： 15KPA30A 品牌： 力特 封装： P600 | 功能相似 | 瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes | M15KP30AE3和15KPA30A的区别 |