MT41K1G4DA-107:P

Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 1Gx4 1.35V 78Pin FBGA

SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb 1G x 4 Parallel 933MHz 20ns 78-FBGA 8x10.5

得捷:
IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA

艾睿:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 1Gx4 1.35V 78-Pin FBGA

安富利:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4G-Bit 1G x 4 1.35V 78-Pin F-BGA

MT41K1G4DA-107:P中文资料参数规格

技术参数

工作电压 1.35 V

时钟频率 933 MHz

位数 4

存取时间 20 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.283V ~ 1.45V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 78

封装 FBGA-78

外形尺寸

封装 FBGA-78

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

MT41K1G4DA-107:P引脚图与封装图

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MT41K1G4DA-107:P	Micron 镁光	DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 1Gx4 1.35V 78Pin FBGA	搜索库存

替代型号MT41K1G4DA-107:P

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： MT41K1G4DA-107:P 品牌： Micron 镁光封装： FBGA	当前型号	DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 1Gx4 1.35V 78Pin FBGA	当前型号
型号： MT41K1G4RH-125:E 品牌：镁光封装： FBGA	完全替代	DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 1Gx4 1.35V 78Pin FBGA	MT41K1G4DA-107:P和MT41K1G4RH-125:E的区别
型号： MT41K1G4RH-125:E TR 品牌：镁光封装：	类似代替	IC SDRAM 4GBIT 800MHz 78FBGA	MT41K1G4DA-107:P和MT41K1G4RH-125:E TR的区别
型号： MT41K1G4RH-107:E TR 品牌：镁光封装：	类似代替	IC SDRAM 4GBIT 933MHz 78FBGA	MT41K1G4DA-107:P和MT41K1G4RH-107:E TR的区别