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MAGX-001214-500L0S

MAGX-001214-500L0S

数据手册.pdf
M/A-Com 主动器件

氮化镓对SiC耗尽型晶体管技术内部匹配 GaN on SiC Depletion-Mode Transistor Technology Internally Matched

RF Mosfet HEMT 50V 400mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 19.22dB 500W


得捷:
TRANSISTOR GAN 500W 1.2-1.4GHZ


MAGX-001214-500L0S中文资料参数规格
技术参数

频率 1.2GHz ~ 1.4GHz

输出功率 500 W

增益 19.22 dB

测试电流 400 mA

额定电压 65 V

封装参数

封装 Ceramic-2

外形尺寸

封装 Ceramic-2

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MAGX-001214-500L0S引脚图与封装图
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