MP86884DQKTE-P

Monolithic Power Systems 美国芯源系统电子元器件分类

MOSFET DRVR 55A 1Out Hi/Lo Side Non-Inv 34Pin TQFN T/R

Half Bridge Driver General Purpose Power MOSFET 34-TQFN 6x6

得捷:
14V,55A INTELLI-PHASE,3.3V PWM L

安富利:
MOSFET DRVR 55A 1-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 34-Pin TQFN T/R

MP86884DQKTE-P中文资料参数规格

技术参数

输出接口数 1

耗散功率 4300 mW

耗散功率Max 4300 mW

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TQFN-34

外形尺寸

封装 TQFN-34

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

MP86884DQKTE-P引脚图与封装图

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