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MT49H8M36FM-25 IT:B TR

MT49H8M36FM-25 IT:B TR

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip RLDRAM 288M-Bit 8Mx36 1.8V 144Pin BGA T/R

DRAM 存储器 IC 288Mb(8M x 36) 并联 400 MHz 20 ns 144-FBGA(18.5x11)


得捷:
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA


安富利:
DRAM Chip RLDRAM 288M-Bit 8Mx36 1.8V 144-Pin BGA T/R


MT49H8M36FM-25 IT:B TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

封装 TFBGA-144

外形尺寸

封装 TFBGA-144

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

MT49H8M36FM-25 IT:B TR引脚图与封装图
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MT49H8M36FM-25 IT:B TR Micron 镁光 DRAM Chip RLDRAM 288M-Bit 8Mx36 1.8V 144Pin BGA T/R 搜索库存