MAGX-001214-125L00
数据手册.pdf
M/A-Com
主动器件
频率 1.2GHz ~ 1.4GHz
耗散功率 115 W
阈值电压 3.8 V
漏源击穿电压 175 V
栅源击穿电压 8 V
输出功率 125 W
增益 18.4 dB
测试电流 100 mA
工作温度Max 95 ℃
工作温度Min 40 ℃
额定电压 65 V
安装方式 Surface Mount
封装 Ceramic-2
封装 Ceramic-2
工作温度 40℃ ~ 95℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MAGX-001214-125L00 | M/A-Com | 氮化镓HEMT的SiC脉冲功率晶体管125W峰值, 1200-1400兆赫, 300μs脉冲, 10 %占空比 GaN on SiC HEMT Pulsed Power Transistor 125W Peak, 1200-1400 MHz, 300μs Pulse, 10% Duty | 搜索库存 |