MAP6KE100AE3
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
MAP6KE100AE3中文资料参数规格
技术参数
最大反向电压（Vrrm） 85.5V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 95 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 T-18
外形尺寸
封装 T-18
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MAP6KE100AE3引脚图与封装图 
MAP6KE100AE3引脚图
MAP6KE100AE3封装图
MAP6KE100AE3封装焊盘图
在线购买MAP6KE100AE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MAP6KE100AE3 | Microsemi 美高森美 | 85.5V 600W | 搜索库存 |
替代型号MAP6KE100AE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MAP6KE100AE3 品牌： Microsemi 美高森美 封装： T-18 | 当前型号 | 85.5V 600W | 当前型号 |
| 型号： MAP6KE100A 品牌： 美高森美 封装： T-18 | 完全替代 | 85.5V 600W | MAP6KE100AE3和MAP6KE100A的区别 |
| 型号： P6KE100A 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | 瞬态吸收齐纳 TRANSIENT ABSORPTION ZENER | MAP6KE100AE3和P6KE100A的区别 |
| 型号： MAP6KE100ATRE3 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85.5V VRWM, Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN | MAP6KE100AE3和MAP6KE100ATRE3的区别 |
