MAP6KE11AE3
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
MAP6KE11AE3中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 10.5 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 T-18
外形尺寸
封装 T-18
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MAP6KE11AE3引脚图与封装图 
MAP6KE11AE3引脚图
MAP6KE11AE3封装图
MAP6KE11AE3封装焊盘图
在线购买MAP6KE11AE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MAP6KE11AE3 | Microsemi 美高森美 | ESD Suppressors / TVS Diodes Transient Voltage Suppressor | 搜索库存 |
替代型号MAP6KE11AE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MAP6KE11AE3 品牌： Microsemi 美高森美 封装： T-18 | 当前型号 | ESD Suppressors / TVS Diodes Transient Voltage Suppressor | 当前型号 |
