MAP6KE130A
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
MAP6KE130A中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 124 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-18
外形尺寸
封装 T-18
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MAP6KE130A引脚图与封装图 
MAP6KE130A引脚图
MAP6KE130A封装图
MAP6KE130A封装焊盘图
在线购买MAP6KE130A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MAP6KE130A | Microsemi 美高森美 | ESD Suppressors / TVS Diodes Transient Voltage Suppressor | 搜索库存 |
替代型号MAP6KE130A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MAP6KE130A 品牌： Microsemi 美高森美 封装： T-18 | 当前型号 | ESD Suppressors / TVS Diodes Transient Voltage Suppressor | 当前型号 |
| 型号： MAP6KE130AE3 品牌： 美高森美 封装： T-18 | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 111V 600W 2Pin Case T-18 Bulk | MAP6KE130A和MAP6KE130AE3的区别 |
| 型号： P6KE130AT 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 111V VRWM, Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN | MAP6KE130A和P6KE130AT的区别 |
| 型号： MAP6KE130ATRE3 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 111V VRWM, Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN | MAP6KE130A和MAP6KE130ATRE3的区别 |
