MAP6KE56AE3
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
MAP6KE56AE3中文资料参数规格
技术参数
最大反向电压（Vrrm） 47.8V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 53.2 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 T-18
外形尺寸
封装 T-18
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MAP6KE56AE3引脚图与封装图 
MAP6KE56AE3引脚图
MAP6KE56AE3封装图
MAP6KE56AE3封装焊盘图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MAP6KE56AE3 | Microsemi 美高森美 | 47.8V 600W | 搜索库存 |