MAP6KE200AE3
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
最大反向电压(Vrrm) 171V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 190 V
安装方式 Through Hole
封装 T-18
封装 T-18
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MAP6KE200AE3 | Microsemi 美高森美 | 171V 600W | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MAP6KE200AE3 品牌: Microsemi 美高森美 封装: T-18 | 当前型号 | 171V 600W | 当前型号 | |
型号: P6KE200A-T 品牌: 美高森美 封装: | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 171V VRWM, Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN | MAP6KE200AE3和P6KE200A-T的区别 |