MAP6KE47A
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
MAP6KE47A中文资料参数规格
技术参数
最大反向电压（Vrrm） 40.2V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 44.7 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 T-18
外形尺寸
封装 T-18
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MAP6KE47A引脚图与封装图 
MAP6KE47A引脚图
MAP6KE47A封装图
MAP6KE47A封装焊盘图
替代型号MAP6KE47A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MAP6KE47A 品牌： Microsemi 美高森美 封装： T-18 | 当前型号 | 40.2V 600W | 当前型号 |
| 型号： MAP6KE47AE3 品牌： 美高森美 封装： T-18 | 完全替代 | 40.2V 600W | MAP6KE47A和MAP6KE47AE3的区别 |
| 型号： MAP6KE47ATRE3 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40.2V VRWM, Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN | MAP6KE47A和MAP6KE47ATRE3的区别 |
