MJW18020中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 250 W
增益频宽积 13 MHz
击穿电压集电极-发射极 450 V
集电极最大允许电流 30A
最小电流放大倍数hFE 14
最大电流放大倍数hFE 34
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.08 mm
封装 TO-247-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 30
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MJW18020引脚图与封装图
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在线购买MJW18020
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJW18020 | ON Semiconductor 安森美 | NPN硅功率晶体管高压平面 NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar | 搜索库存 |
替代型号MJW18020
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJW18020 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-247-3 NPN | 当前型号 | NPN硅功率晶体管高压平面 NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar | 当前型号 |
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