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MT49H64M9FM-25:B

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

IC RLDRAM 576Mbit 400MHz 144UBGA

DRAM 存储器 IC 576Mb(64M x 9) 并联 144-µBGA(18.5x11)


得捷:
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip RLDRAM 576M-Bit 64Mx9 1.8V 144-Pin MBGA Tray


MT49H64M9FM-25:B中文资料参数规格
技术参数

工作电压 1.80 V

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

封装 TFBGA-144

外形尺寸

封装 TFBGA-144

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

MT49H64M9FM-25:B引脚图与封装图
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在线购买MT49H64M9FM-25:B
型号 制造商 描述 购买
MT49H64M9FM-25:B Micron 镁光 IC RLDRAM 576Mbit 400MHz 144UBGA 搜索库存
替代型号MT49H64M9FM-25:B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MT49H64M9FM-25:B

品牌: Micron 镁光

封装: TBGA

当前型号

IC RLDRAM 576Mbit 400MHz 144UBGA

当前型号

型号: MT49H64M9BM-25:B

品牌: 镁光

封装: TBGA

完全替代

DRAM Chip RLDRAM 576Mbit 64Mx9 1.8V 144Pin MBGA Tray

MT49H64M9FM-25:B和MT49H64M9BM-25:B的区别

型号: MT49H64M9FM-25E:B

品牌: 镁光

封装: 144-TFBGA

完全替代

Ic Rldram 576Mbit 400MHz 144ubga

MT49H64M9FM-25:B和MT49H64M9FM-25E:B的区别

型号: MT49H64M9CBM-25E:A

品牌: 镁光

封装: TBGA

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