M29F800DT55N6
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ST Microelectronics
意法半导体
主动器件
M29F800DT55N6中文资料参数规格
技术参数
存取时间 55.0 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSOP-48
外形尺寸
封装 TSOP-48
物理参数
工作温度 40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
M29F800DT55N6引脚图与封装图
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在线购买M29F800DT55N6
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| M29F800DT55N6 | ST Microelectronics 意法半导体 | 8Mbit 1Mb X8 OR 512KB X16, BOOT BLOCK 5V SUPPLY FLASH MEMORY | 搜索库存 |
替代型号M29F800DT55N6
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： M29F800DT55N6 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TSOP-48 55ns | 当前型号 | 8Mbit 1Mb X8 OR 512KB X16, BOOT BLOCK 5V SUPPLY FLASH MEMORY | 当前型号 |
| 型号： M29F800DT55N1 品牌： 意法半导体 封装： TSOP1 55ns | 类似代替 | NOR闪存 1Mx8 or 512Kx16 55ns | M29F800DT55N6和M29F800DT55N1的区别 |
| 型号： AM29F800BT-55EF 品牌： 飞索半导体 封装： TSOP 1000000B 4.5V 48Pin | 功能相似 | NOR闪存 8M 1MX8/512KX16 Parallel NOR Fl 5V | M29F800DT55N6和AM29F800BT-55EF的区别 |
