MBT3904DW1T3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 200 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
增益频宽积 300 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-6
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MBT3904DW1T3引脚图与封装图
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在线购买MBT3904DW1T3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MBT3904DW1T3 | ON Semiconductor 安森美 | SC-88 NPN 40V 0.2A | 搜索库存 |
替代型号MBT3904DW1T3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBT3904DW1T3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-363 NPN 40V 200mA | 当前型号 | SC-88 NPN 40V 0.2A | 当前型号 |
| 型号： MBT3904DW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 40V 200mA 150mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MBT3904DW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 300 hFE, SOT-363 | MBT3904DW1T3和MBT3904DW1T1G的区别 |
| 型号： MBT2222ADW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 40V 600mA 150mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MBT2222ADW1T1G. 双极性晶体管, HFE 300 | MBT3904DW1T3和MBT2222ADW1T1G的区别 |
| 型号： MMDT3904-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-363 NPN 40V 200mA 200mW | 功能相似 | 二极管与整流器 | MBT3904DW1T3和MMDT3904-7-F的区别 |
