MS2204
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
击穿电压集电极-发射极 20 V
增益 10.8 dB
最小电流放大倍数hFE 15 @100mA, 5V
额定功率Max 600 mW
安装方式 Surface Mount
封装 M115
封装 M115
工作温度 200℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MS2204 品牌: Microsemi 美高森美 封装: M115 | 当前型号 | Trans Rf Bipo 600mW 300mA M115 | 当前型号 | |
型号: MS2290 品牌: 美高森美 封装: | 完全替代 | Trans RF BJT NPN 20V 0.2A 4Pin Case M-115 | MS2204和MS2290的区别 |