MTD2955V-1G
ON Semiconductor
安森美
电子元器件分类
MTD2955V-1G中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 12A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 IPAK
外形尺寸
封装 IPAK
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
MTD2955V-1G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| MTD2955V-1G | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET的12A ， 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK | 搜索库存 |
替代型号MTD2955V-1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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