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MT3S14FS
Toshiba 东芝 电子元器件分类

MT3S14FS 高频NPN三极管 6V 11GHZ FSM 代码 OH

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 6V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 2.5V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 30mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 11GHZ 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 90~150 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 耗散功率PcPower Dissipation | 85MW Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type .
.
VHF~UHF Band Low-Noise Amplifier Applications. * VHF~UHF Band Buffer Applications. * Superior performance in buffer applications. * Superior noise characteristics:NF = 1.7dB, |S21e|2 = 7dB f = 2 GHz. 描述与应用 | 晶体管NPN硅外延平面型。 * VHF??UHF频段低噪声放大器应用。 * VHF??UHF频段缓冲应用。 *缓冲应用中的卓越性能。 *卓越的噪声特性:NF=1.7分贝,S21E|2=7分贝(F =2GHZ)。
MT3S14FS中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 2.5 V

集电极最大允许电流 0.03A

封装参数

封装 SOD-923

外形尺寸

封装 SOD-923

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MT3S14FS引脚图与封装图
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