MG200J6ES60
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Toshiba
东芝
电子元器件分类
MG200J6ES60中文资料参数规格
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
MG200J6ES60引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| MG200J6ES60 | Toshiba 东芝 | GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications | 搜索库存 |
替代型号MG200J6ES60
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： MG200J6ES60 品牌： Toshiba 东芝 封装： | 当前型号 | GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications | 当前型号 |
| 型号： MWI200-06A8 品牌： IXYS Semiconductor 封装： E3 600V 225A 675000mW | 功能相似 | IGBT 模块，IXYS### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | MG200J6ES60和MWI200-06A8的区别 |
| 型号： MWI150-06A8 品牌： IXYS Semiconductor 封装： E3 600V 170A 515000mW | 功能相似 | 分立半导体模块 150 Amps 600V | MG200J6ES60和MWI150-06A8的区别 |
| 型号： CM200TU-12F 品牌： Powerex 封装： Module | 功能相似 | POWEREX CM200TU-12F IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200A, 600V, 600W, 600V, Module | MG200J6ES60和CM200TU-12F的区别 |