
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MG150Q2YS51 | Toshiba 东芝 | N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MG150Q2YS51 品牌: Toshiba 东芝 封装: | 当前型号 | N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS | 当前型号 | |
型号: BSM200GA120DN2 品牌: 英飞凌 封装: | 功能相似 | IGBT 模块,Infineon **Infineon 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | MG150Q2YS51和BSM200GA120DN2的区别 | |
型号: BSM100GB120DN2K 品牌: 英飞凌 封装: Half 700W | 功能相似 | IGBT功率模块(半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板) IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate | MG150Q2YS51和BSM100GB120DN2K的区别 | |
型号: BSM100GB120DN2 品牌: 英飞凌 封装: Half | 功能相似 | IGBT功率模块(半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板) IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate | MG150Q2YS51和BSM100GB120DN2的区别 |