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MG150Q2YS51

MG150Q2YS51

数据手册.pdf
Toshiba 东芝 分立器件

N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS

High Power Switching Applications

Motor Control Applications

High input impedance

High speed : tf = 0.3µs Max

              @Inductive Load

Low saturation voltage : VCE sat = 3.6V Max

Enhancement-mode

Includes a complete half bridge in one package.

The electrodes are isolated from case.


MG150Q2YS51中文资料参数规格
其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

MG150Q2YS51引脚图与封装图
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MG150Q2YS51 Toshiba 东芝 N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS 搜索库存
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型号: MG150Q2YS51

品牌: Toshiba 东芝

封装:

当前型号

N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS

当前型号

型号: BSM200GA120DN2

品牌: 英飞凌

封装:

功能相似

IGBT 模块,Infineon **Infineon 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

MG150Q2YS51和BSM200GA120DN2的区别

型号: BSM100GB120DN2K

品牌: 英飞凌

封装: Half 700W

功能相似

IGBT功率模块(半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板) IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate

MG150Q2YS51和BSM100GB120DN2K的区别

型号: BSM100GB120DN2

品牌: 英飞凌

封装: Half

功能相似

IGBT功率模块(半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板) IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate

MG150Q2YS51和BSM100GB120DN2的区别