MRF7S18125BHR5

NXP(恩智浦) 主动器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780

RF Mosfet LDMOS 28V 1.1A 1.93GHz 16.5dB 125W NI-780H-2L

得捷:
FET RF 65V 1.93GHZ NI780

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780

安富利:
MOTMRF7S18125BHR5

MRF7S18125BHR5中文资料参数规格

技术参数

频率 1.93 GHz

无卤素状态 Halogen Free

输出功率 125 W

增益 16.5 dB

测试电流 1.1 A

工作温度Max 150 ℃

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 NI-780-2

外形尺寸

封装 NI-780-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MRF7S18125BHR5引脚图与封装图

暂无图片

在线购买MRF7S18125BHR5

型号	制造商	描述	购买
MRF7S18125BHR5	NXP 恩智浦	射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780	搜索库存