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MAGX-003135-120L00

MAGX-003135-120L00

数据手册.pdf
M/A-Com 主动器件

氮化镓HEMT脉冲功率晶体管3.1 - 3.5 GHz频段,峰值120W , 300US脉冲, 10 %占空比 GaN HEMT Pulsed Power Transistor 3.1 - 3.5 GHz, 120W Peak, 300us Pulse, 10% Duty

RF Mosfet HEMT 50V 300mA 3.1GHz ~ 3.5GHz 11.2dB 120W


得捷:
FET RF 65V 3.5GHZ


贸泽:
RF JFET Transistors 3.1-3.5GHz 50Volt 120W Pk Gain 11.5dB


Chip1Stop:
Trans JFET 6.7A GaN HEMT 3-Pin


Verical:
Trans JFET 6.7A GaN HEMT 3-Pin


MAGX-003135-120L00中文资料参数规格
技术参数

频率 3.1GHz ~ 3.5GHz

耗散功率 170 W

阈值电压 3 V

漏源击穿电压 175 V

栅源击穿电压 8 V

输出功率 120 W

增益 11.8 dB

测试电流 300 mA

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 40 ℃

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 Ceramic-2

外形尺寸

封装 Ceramic-2

物理参数

工作温度 40℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MAGX-003135-120L00引脚图与封装图
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MAGX-003135-120L00 M/A-Com 氮化镓HEMT脉冲功率晶体管3.1 - 3.5 GHz频段,峰值120W , 300US脉冲, 10 %占空比 GaN HEMT Pulsed Power Transistor 3.1 - 3.5 GHz, 120W Peak, 300us Pulse, 10% Duty 搜索库存