MT41J256M16LY-091G:N

Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip GDDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V/1.5V 96Pin FBGA

SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb 256M x 16 Parallel 1GHz 96-FBGA 7.5x13.5

得捷:
IC DRAM 4GBIT PAR 1GHZ 96FBGA

艾睿:
DRAM Chip GDDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V/1.5V 96-Pin FBGA

安富利:
DDR3 4G 256MX16 FBGA

Chip1Stop:
DRAM Chip GDDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V/1.5V 96-Pin FBGA

MT41J256M16LY-091G:N中文资料参数规格

技术参数

位数 16

工作温度Max 115 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.425V ~ 1.575V

封装参数

引脚数 96

封装 TFBGA-96

外形尺寸

封装 TFBGA-96

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

MT41J256M16LY-091G:N引脚图与封装图

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MT41J256M16LY-091G:N	Micron 镁光	DRAM Chip GDDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V/1.5V 96Pin FBGA	搜索库存

替代型号MT41J256M16LY-091G:N

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： MT41J256M16LY-091G:N 品牌： Micron 镁光封装： 96-TFBGA	当前型号	DRAM Chip GDDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V/1.5V 96Pin FBGA	当前型号
型号： MT41J256M16HA-093G:E TR 品牌：镁光封装： 96-TFBGA	完全替代	IC SDRAM 4GBIT 1067MHz 96BGA	MT41J256M16LY-091G:N和MT41J256M16HA-093G:E TR的区别
型号： MT41J256M16HA-093G:E 品牌：镁光封装： FBGA	类似代替	DRAM Chip GDDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96Pin FBGA	MT41J256M16LY-091G:N和MT41J256M16HA-093G:E的区别
型号： MT41K256M16HA-107G:E 品牌：镁光封装： FBGA	功能相似	IC SDRAM 4GBIT 933MHz FBGA	MT41J256M16LY-091G:N和MT41K256M16HA-107G:E的区别