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MGP15N35CL

MGP15N35CL

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件
MGP15N35CL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 350 V

额定电流 15.0 A

耗散功率 150 W

击穿电压集电极-发射极 350 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

MGP15N35CL引脚图与封装图
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在线购买MGP15N35CL
型号 制造商 描述 购买
MGP15N35CL ON Semiconductor 安森美 点火IGBT 15安培, 350伏特N沟道TO- 220和D2PAK Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK 搜索库存
替代型号MGP15N35CL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MGP15N35CL

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-220 350V 15A 150W

当前型号

点火IGBT 15安培, 350伏特N沟道TO- 220和D2PAK Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK

当前型号

型号: NGP15N41CLG

品牌: 安森美

封装: TO-220 410V 15A 107000mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  NGP15N41CLG  单晶体管, IGBT, 15 A, 440 V, 107 W, 440 V, TO-220, 3 引脚

MGP15N35CL和NGP15N41CLG的区别

型号: NGP15N41CL

品牌: 安森美

封装: TO-220-3 410V 15A 107W

功能相似

点火IGBT 15安培, 410伏 Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts

MGP15N35CL和NGP15N41CL的区别

型号: MGP20N40CL

品牌: 安森美

封装:

功能相似

SMARTDISCRETES内部钳位, N沟道IGBT SMARTDISCRETES Internally Clamped, N-Channel IGBT

MGP15N35CL和MGP20N40CL的区别