MRF8372R1

Microsemi(美高森美) 分立器件

射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

RF Transistor NPN 16V 200mA 870MHz 2.2W Surface Mount 8-SO

得捷:
RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

贸泽:
RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor

艾睿:
Trans RF BJT NPN 16V 0.2A 8-Pin SO T/R

Win Source:
TRANS NPN 16V 200MA SO8

MRF8372R1中文资料参数规格

技术参数

输出功率 0.75 W

击穿电压集电极-发射极 16 V

增益 8dB ~ 9.5dB

最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 5V

额定功率Max 2.2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2.2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MRF8372R1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买MRF8372R1

型号	制造商	描述	购买
MRF8372R1	Microsemi 美高森美	射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS	搜索库存