MCCD2005-TP中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 1800pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 WFDFN-6
外形尺寸
封装 WFDFN-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MCCD2005-TP引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| MCCD2005-TP | Micro Commercial Components 美微科 | MOSFET 8A,20V Dual N Chann Mosfet, | 搜索库存 |