MRF4427R1
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
MRF4427R1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 20 V
增益 20 dB
最小电流放大倍数hFE 10 @10mA, 5V
额定功率Max 1.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MRF4427R1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MRF4427R1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MRF4427R1 | Microsemi 美高森美 | 射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS | 搜索库存 |
替代型号MRF4427R1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MRF4427R1 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | 射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS | 当前型号 |