MT49H16M18CBM-25:B TR

Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip RLDRAM 288M-Bit 16M x 18 1.8V 144Pin U-BGA T/R

DRAM Memory IC 288Mb 16M x 18 Parallel 400MHz 20ns 144-µBGA 18.5x11

得捷:
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA

安富利:
DRAM Chip RLDRAM 288M-Bit 16M x 18 1.8V 144-Pin U-BGA T/R

Win Source:
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA

MT49H16M18CBM-25:B TR中文资料参数规格

技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

封装 TFBGA-144

外形尺寸

封装 TFBGA-144

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

MT49H16M18CBM-25:B TR引脚图与封装图

MT49H16M18CBM-25:B TR引脚图

MT49H16M18CBM-25:B TR封装图

MT49H16M18CBM-25:B TR封装焊盘图

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