MRF314
数据手册.pdf
M/A-Com
分立器件
MRF314中文资料参数规格
技术参数
频率 200 MHz
极性 NPN
耗散功率 82 W
输出功率 30.0 W
击穿电压集电极-发射极 35 V
增益 13.5 dB
最小电流放大倍数hFE 20
额定功率Max 30 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 211-07
外形尺寸
封装 211-07
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MRF314引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MRF314
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MRF314 | M/A-Com | 射频线NPN硅功率晶体管30W ， 30-200MHz ， 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 30W, 30-200MHz, 28V | 搜索库存 |
替代型号MRF314
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MRF314 品牌： M/A-Com 封装： 211-07 NPN 82W | 当前型号 | 射频线NPN硅功率晶体管30W ， 30-200MHz ， 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 30W, 30-200MHz, 28V | 当前型号 |
| 型号： SD1275 品牌： 意法半导体 封装： M135 36V 8A | 功能相似 | 射频与微波晶体管VHF移动应用程序 RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS | MRF314和SD1275的区别 |
| 型号： MRF316 品牌： M/A-Com 封装： 316-01 | 功能相似 | 射频线NPN硅射频功率晶体管 The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor | MRF314和MRF316的区别 |
| 型号： MRF317 品牌： M/A-Com 封装： 4Case | 功能相似 | 射频线NPN硅功率晶体管100W ， 30-200MHz ， 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 100W, 30-200MHz, 28V | MRF314和MRF317的区别 |