频率 30MHz ~ 500MHz
耗散功率 70 W
漏源击穿电压 65.0V min
输出功率 20 W
增益 13.5 dB
测试电流 25 mA
输入电容Ciss 28pF @28VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 70000 mW
额定电压 65 V
安装方式 Flange
引脚数 6
封装 319-07
封装 319-07
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MRF166C 品牌: M/A-Com 封装: Case | 当前型号 | MOSFET宽带射频功率FET MOSFET BROADBAND RF POWER FETs | 当前型号 | |
型号: BLF245,112 品牌: 恩智浦 封装: SOT-123A 68000mW | 功能相似 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 6A 4Pin SOT-123A Bulk | MRF166C和BLF245,112的区别 | |
型号: MRF136Y 品牌: M/A-Com 封装: 100000mW | 功能相似 | N沟道MOS宽带射频功率场效应管 N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET | MRF166C和MRF136Y的区别 |