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MRF166C
M/A-Com 主动器件

MOSFET宽带射频功率FET MOSFET BROADBAND RF POWER FETs

RF Mosfet N 通道 30MHz ~ 500MHz 16dB 20W 319-07,3 型


得捷:
FET RF 65V 500MHZ 319-07


立创商城:
MRF166C


贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 4A 6-Pin Case 319-07


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 4A 6-Pin Case 319-07


MRF166C中文资料参数规格
技术参数

频率 30MHz ~ 500MHz

耗散功率 70 W

漏源击穿电压 65.0V min

输出功率 20 W

增益 13.5 dB

测试电流 25 mA

输入电容Ciss 28pF @28VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 70000 mW

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Flange

引脚数 6

封装 319-07

外形尺寸

封装 319-07

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MRF166C引脚图与封装图
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在线购买MRF166C
型号 制造商 描述 购买
MRF166C M/A-Com MOSFET宽带射频功率FET MOSFET BROADBAND RF POWER FETs 搜索库存
替代型号MRF166C
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MRF166C

品牌: M/A-Com

封装: Case

当前型号

MOSFET宽带射频功率FET MOSFET BROADBAND RF POWER FETs

当前型号

型号: BLF245,112

品牌: 恩智浦

封装: SOT-123A 68000mW

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