MRF8S9100HSR5

NXP(恩智浦) 主动器件

GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 920-960MHz, 72W CW, 28V

RF Mosfet LDMOS 28V 500mA 920MHz 19.3dB 72W NI-780S

得捷:
FET RF 70V 920MHZ NI-780S

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 70V 3-Pin NI-780S T/R

MRF8S9100HSR5中文资料参数规格

技术参数

频率 920 MHz

无卤素状态 Halogen Free

输出功率 72 W

增益 19.3 dB

测试电流 500 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 70 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 NI-780S

外形尺寸

高度 4.32 mm

封装 NI-780S

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MRF8S9100HSR5引脚图与封装图

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