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MMRF1317HR5

MMRF1317HR5

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1030-1090 MHz, 1300 W Peak, 50 V

RF Mosfet LDMOS Dual 50V 100mA 1.03GHz 18.2dB 1300W NI-1230-4H


得捷:
TRANS 1030MHZ 1550W PEAK 50V


贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1030-1090 MHz, 1300 W Peak, 50 V


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 105V 5-Pin NI-1230H T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH -0.5V/105V 4-Pin NI-1230H Box


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 105V 5-Pin NI-1230H T/R


RfMW:
RF Power Transistor,1030 to 1090 MHz, 1300 W, Typ Gain in dB is 18.9 @ 1030 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787


MMRF1317HR5中文资料参数规格
技术参数

频率 1.03 GHz

耗散功率 869 W

输出功率 1300 W

增益 18.2 dB

测试电流 100 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 869000 mW

额定电压 105 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 5

封装 NI-1230-4H

外形尺寸

封装 NI-1230-4H

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMRF1317HR5引脚图与封装图
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在线购买MMRF1317HR5
型号 制造商 描述 购买
MMRF1317HR5 NXP 恩智浦 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1030-1090 MHz, 1300 W Peak, 50 V 搜索库存