MBT2222ADW1T1
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
MBT2222ADW1T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
极性 Dual NPN
耗散功率 150 mW
增益频宽积 300 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 35
最大电流放大倍数hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-6
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 3000
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
香港进出口证 NLR
MBT2222ADW1T1引脚图与封装图
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在线购买MBT2222ADW1T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MBT2222ADW1T1 | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管 General Purpose Transistor | 搜索库存 |
替代型号MBT2222ADW1T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBT2222ADW1T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-363 Dual NPN 40V 600mA | 当前型号 | 通用晶体管 General Purpose Transistor | 当前型号 |
| 型号： MBT2222ADW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 40V 600mA 150mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MBT2222ADW1T1G. 双极性晶体管, HFE 300 | MBT2222ADW1T1和MBT2222ADW1T1G的区别 |