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MMRF1317HSR5

MMRF1317HSR5

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

RF Power Transistor,1030 to 1090MHz, 1300W, Typ Gain in dB is 18.9 @ 1030MHz, 50V, LDMOS, SOT1829

RF Mosfet LDMOS Dual 50V 100mA 1.03GHz 18.2dB 1300W NI-1230-4S


得捷:
TRANS 1030MHZ 1550W PEAK 50V


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 105V 5-Pin NI-1230S T/R


RfMW:
RF Power Transistor,1030 to 1090 MHz, 1300 W, Typ Gain in dB is 18.9 @ 1030 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1829


MMRF1317HSR5中文资料参数规格
技术参数

频率 1.03 GHz

耗散功率 869000 mW

输出功率 1300 W

增益 18.2 dB

测试电流 100 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 869000 mW

额定电压 105 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 5

封装 NI-1230-4S

外形尺寸

封装 NI-1230-4S

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMRF1317HSR5引脚图与封装图
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在线购买MMRF1317HSR5
型号 制造商 描述 购买
MMRF1317HSR5 NXP 恩智浦 RF Power Transistor,1030 to 1090MHz, 1300W, Typ Gain in dB is 18.9 @ 1030MHz, 50V, LDMOS, SOT1829 搜索库存