MMRF1317HSR5
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
频率 1.03 GHz
耗散功率 869000 mW
输出功率 1300 W
增益 18.2 dB
测试电流 100 mA
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 869000 mW
额定电压 105 V
电源电压 50 V
引脚数 5
封装 NI-1230-4S
封装 NI-1230-4S
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MMRF1317HSR5 | NXP 恩智浦 | RF Power Transistor,1030 to 1090MHz, 1300W, Typ Gain in dB is 18.9 @ 1030MHz, 50V, LDMOS, SOT1829 | 搜索库存 |