MS2212
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
MS2212中文资料参数规格
技术参数
频率 1215 MHz
耗散功率 50 W
击穿电压集电极-发射极 55 V
增益 8.1dB ~ 8.9dB
最小电流放大倍数hFE 15 @500mA, 5V
额定功率Max 50 W
工作温度Max 250 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 50000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 M-222
外形尺寸
封装 M-222
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MS2212引脚图与封装图
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在线购买MS2212
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MS2212 | Microsemi 美高森美 | RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, 0.310 X 0.31INCH, HERMETIC SEALED, M222, 2Pin | 搜索库存 |
替代型号MS2212
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MS2212 品牌： Microsemi 美高森美 封装： M222 50W | 当前型号 | RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, 0.310 X 0.31INCH, HERMETIC SEALED, M222, 2Pin | 当前型号 |
| 型号： AJT015 品牌： Advanced Semiconductor 封装： | 功能相似 | RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, FM-2 | MS2212和AJT015的区别 |
| 型号： AM80912-015 品牌： Advanced Semiconductor 封装： | 功能相似 | RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, FM-2 | MS2212和AM80912-015的区别 |