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MT29F2G16ABBEAH4:E TR

MT29F2G16ABBEAH4:E TR

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

SLC NAND Flash Parallel 1.8V 2Gbit 128M X 16Bit 25ns 63Pin VFBGA T/R

FLASH - NAND Memory IC 2Gb 128M x 16 Parallel 63-VFBGA 9x11


得捷:
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA


MT29F2G16ABBEAH4:E TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VFBGA-63

外形尺寸

封装 VFBGA-63

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MT29F2G16ABBEAH4:E TR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MT29F2G16ABBEAH4:E TR Micron 镁光 SLC NAND Flash Parallel 1.8V 2Gbit 128M X 16Bit 25ns 63Pin VFBGA T/R 搜索库存
替代型号MT29F2G16ABBEAH4:E TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MT29F2G16ABBEAH4:E TR

品牌: Micron 镁光

封装: 63-VFBGA

当前型号

SLC NAND Flash Parallel 1.8V 2Gbit 128M X 16Bit 25ns 63Pin VFBGA T/R

当前型号

型号: MT29F2G16ABBEAH4:E

品牌: 镁光

封装: VFBGA 250000000B

完全替代

Flash, 128MX16, 25ns, PBGA63, 11 X 9MM, 1MM HEIGHT, VFBGA-63

MT29F2G16ABBEAH4:E TR和MT29F2G16ABBEAH4:E的区别