MGD623N

Sanken Electric 三垦电气分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3Pin3+Tab TO-3P

IGBT - 通孔 TO-3P

得捷:
IGBT 600V 50A 150W TO3P

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 150000mW 3-Pin3+Tab TO-3P

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin3+Tab TO-3P

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 150000mW 3-Pin3+Tab TO-3P

MGD623N中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 300 ns

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

MGD623N引脚图与封装图

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