MMUN2116LT1
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
MMUN2116LT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 246 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 160
最大电流放大倍数hFE 160
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMUN2116LT1引脚图与封装图
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在线购买MMUN2116LT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMUN2116LT1 | ON Semiconductor 安森美 | PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号MMUN2116LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMUN2116LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 PNP 50V 100mA | 当前型号 | PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR | 当前型号 |
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