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MMBT2907ALT1HTSA1

MMBT2907ALT1HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

MMBT2907ALT1HTSA1 编带

Do you require a transistor in your circuit operating in the high-voltage range? This PNP general purpose bipolar junction transistor, developed by Technologies, is your solution. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 330 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.

MMBT2907ALT1HTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -600 mA

极性 PNP

耗散功率 0.33 W

上升时间 40 ns

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 330 mW

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Last Time Buy

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBT2907ALT1HTSA1引脚图与封装图
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在线购买MMBT2907ALT1HTSA1
型号 制造商 描述 购买
MMBT2907ALT1HTSA1 Infineon 英飞凌 MMBT2907ALT1HTSA1 编带 搜索库存
替代型号MMBT2907ALT1HTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBT2907ALT1HTSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-23 PNP 60V 600mA 330mW

当前型号

MMBT2907ALT1HTSA1 编带

当前型号

型号: SMBT2907AE6327HTSA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL PNP 330mW

类似代替

Infineon SMBT2907AE6327HTSA1 , PNP 双极晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:100, 200(最小)MHz, 3引脚 SOT-23封装

MMBT2907ALT1HTSA1和SMBT2907AE6327HTSA1的区别

型号: MMBT2907A-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-23 PNP 60V 150mA 350mW

功能相似

三极管

MMBT2907ALT1HTSA1和MMBT2907A-7-F的区别

型号: MMBT2907A

品牌: 意法半导体

封装: SOT-23 -60V -600mA 350mW

功能相似

小信号PNP晶体管 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR

MMBT2907ALT1HTSA1和MMBT2907A的区别