MMBT4401LT3
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
MMBT4401LT3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 20
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMBT4401LT3引脚图与封装图
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在线购买MMBT4401LT3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT4401LT3 | ON Semiconductor 安森美 | 开关晶体管（ NPN硅） Switching TransistorNPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号MMBT4401LT3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT4401LT3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 40V 600mA | 当前型号 | 开关晶体管（ NPN硅） Switching TransistorNPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： MMBT4401LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 40V 600mA 300mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MMBT4401LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 250 hFE | MMBT4401LT3和MMBT4401LT1G的区别 |
| 型号： MMBT4401LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 40V 600mA 300mW | 类似代替 | NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | MMBT4401LT3和MMBT4401LT3G的区别 |
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