MJD44E3T4
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
MJD44E3T4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 10.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 1.75 W
击穿电压集电极-发射极 80.0 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 1000
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJD44E3T4引脚图与封装图
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在线购买MJD44E3T4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD44E3T4 | ON Semiconductor 安森美 | 达林顿功率晶体管DPAK对于表面贴装应用10安培80伏， 20瓦 Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications 10 AMPERES 80 VOLTS, 20 WATTS | 搜索库存 |
替代型号MJD44E3T4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD44E3T4 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DPAK N-Channel 80V 10A 1.75W | 当前型号 | 达林顿功率晶体管DPAK对于表面贴装应用10安培80伏， 20瓦 Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications 10 AMPERES 80 VOLTS, 20 WATTS | 当前型号 |
| 型号： MJD44E3T4G 品牌： 安森美 封装： DPAK NPN 80V 10A 1750mW | 类似代替 | 达林顿功率晶体管DPAK对于表面贴装应用10安培80伏， 20瓦 Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications 10 AMPERES 80 VOLTS, 20 WATTS | MJD44E3T4和MJD44E3T4G的区别 |