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MMBF1374T1

MMBF1374T1

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ON Semiconductor 安森美 分立器件

小信号MOSFET50毫安,30伏N沟道SC-70/SOT-323这些微型表面贴装MOSFET的低RDS(ON)保证最小的功率损耗,节约能源,使这些设备的理想选择用于在小的电源管理电路。典型的应用是DC-DC转换器,电源管理..

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 50mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.05Ω/Ohm @10mA,4.5V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 2.8V 耗散功率Pd Power Dissipation| 100mW/0.1W Description & Applications| Small Signal MOSFET 50 mAmps, 30 Volts N–Channel SC–70/SOT–323 These miniature surface mount MOSFETs low RDSon assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in small power management circuitry. Typical applications are dc–dc converters, power management in portable and battery–powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones. • Low RDSon Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life • Miniature SC–70/SOT–323 Surface Mount Package Saves Board Space 描述与应用| 小信号MOSFET 50毫安,30伏 N沟道SC-70/SOT-323 这些微型表面贴装MOSFET的低RDS(ON)保证 最小的功率损耗,节约能源,使这些设备的理想选择 用于在小的电源管理电路。典型的应用是 DC-DC转换器,电源管理在便携式和 电池供电的产品,如电脑,打印机,PCMCIA 卡,手机和无绳电话。 •低的RDS(on) 提供更高的效率和延长电池寿命 •微型SC-70/SOT-323表面贴装封装保存 电路板空间

MMBF1374T1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.05A

封装参数

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MMBF1374T1引脚图与封装图
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MMBF1374T1 ON Semiconductor 安森美 小信号MOSFET50毫安,30伏N沟道SC-70/SOT-323这些微型表面贴装MOSFET的低RDS(ON)保证最小的功率损耗,节约能源,使这些设备的理想选择用于在小的电源管理电路。典型的应用是DC-DC转换器,电源管理.. 搜索库存