MMBT4403WT1
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
MMBT4403WT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -600 mA
极性 PNP
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-3
外形尺寸
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.85 mm
封装 SC-70-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMBT4403WT1引脚图与封装图
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在线购买MMBT4403WT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT4403WT1 | ON Semiconductor 安森美 | 开关晶体管PNP硅 Switching Transistor PNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号MMBT4403WT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT4403WT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-70 PNP 40V 600mA | 当前型号 | 开关晶体管PNP硅 Switching Transistor PNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： MMBT4403WT1G 品牌： 安森美 封装： SC-70 PNP -40V -600mA 150mW | 类似代替 | 开关晶体管 Switching Transistor | MMBT4403WT1和MMBT4403WT1G的区别 |