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MMRF1306HSR5

MMRF1306HSR5

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 主动器件

RF MOSFET Transistors MOSFET 10-500MHz 1000W 50V

RF Mosfet LDMOS(双) 50 V 100 mA 230MHz 24dB 1250W NI-1230-4S


得捷:
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-1230S T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 133V 4-Pin NI-1230S T/R


RfMW:
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 1250 W, Typ Gain in dB is 22.9 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1829


MMRF1306HSR5中文资料参数规格
技术参数

频率 230 MHz

耗散功率 1333000 mW

输出功率 1250 W

增益 24 dB

测试电流 100 mA

输入电容Ciss 562pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1333000 mW

额定电压 133 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 5

封装 NI-1230-4S

外形尺寸

封装 NI-1230-4S

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMRF1306HSR5引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MMRF1306HSR5 NXP 恩智浦 RF MOSFET Transistors MOSFET 10-500MHz 1000W 50V 搜索库存