MRF8P20140WHSR5
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
主动器件
MRF8P20140WHSR5中文资料参数规格
技术参数
频率 1.88GHz ~ 1.91GHz
无卤素状态 Halogen Free
输出功率 24 W
增益 16 dB
测试电流 500 mA
额定电压 65 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 NI-780HS-4
外形尺寸
封装 NI-780HS-4
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MRF8P20140WHSR5引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MRF8P20140WHSR5
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MRF8P20140WHSR5 | NXP 恩智浦 | Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1880-2025MHz, 24W Avg., 28V | 搜索库存 |
替代型号MRF8P20140WHSR5
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MRF8P20140WHSR5 品牌： NXP 恩智浦 封装： NI-780HS-4 | 当前型号 | Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1880-2025MHz, 24W Avg., 28V | 当前型号 |
| 型号： MRF8P20140WHSR3 品牌： 恩智浦 封装： NI-780HS-4 | 完全替代 | RF Power Transistor,1880 to 2025MHz, 140W, Typ Gain in dB is 16 @ 1920MHz, 28V, LDMOS, SOT1826 | MRF8P20140WHSR5和MRF8P20140WHSR3的区别 |