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MMRF1316NR1

MMRF1316NR1

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 主动器件

RF Power Transistor,1.8 to 600MHz, 300W, Typ Gain in dB is 25 @ 230MHz, 50V, LDMOS, SOT1736

RF Mosfet LDMOS Dual 50V 100mA 230MHz 27dB 300W TO-270 WB-4


得捷:
FET RF 2CH 133V 230MHZ TO270


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 133V 4-Pin TO-270 WB EP T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 133V 4-Pin TO-270 WB EP T/R


RfMW:
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 300 W, Typ Gain in dB is 25 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1736


MMRF1316NR1中文资料参数规格
技术参数

频率 230 MHz

耗散功率 909000 mW

输出功率 300 W

增益 27 dB

测试电流 100 mA

输入电容Ciss 168pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 909000 mW

额定电压 133 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 4

封装 TO-270-4

外形尺寸

封装 TO-270-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMRF1316NR1引脚图与封装图
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在线购买MMRF1316NR1
型号 制造商 描述 购买
MMRF1316NR1 NXP 恩智浦 RF Power Transistor,1.8 to 600MHz, 300W, Typ Gain in dB is 25 @ 230MHz, 50V, LDMOS, SOT1736 搜索库存