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MMRF1304NR1

MMRF1304NR1

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 主动器件

RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 25W, Typ Gain in dB is 25.5 @ 512MHz, 50V, LDMOS, SOT1732

RF Mosfet LDMOS 50V 10mA 512MHz 25.4dB 25W TO-270-2


得捷:
MMRF1304 - WIDEBAND RF POWER LDM


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin TO-270 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 142V 2-Pin TO-270G T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin TO-270 T/R


RfMW:
RF Power Transistor,1.8 to 2000 MHz, 25 W, Typ Gain in dB is 25.5 @ 512 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1732


MMRF1304NR1中文资料参数规格
技术参数

频率 512 MHz

输出功率 25 W

增益 25.4 dB

测试电流 10 mA

输入电容Ciss 39.2pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 133 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 3

封装 TO-270-2

外形尺寸

封装 TO-270-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMRF1304NR1引脚图与封装图
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在线购买MMRF1304NR1
型号 制造商 描述 购买
MMRF1304NR1 NXP 恩智浦 RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 25W, Typ Gain in dB is 25.5 @ 512MHz, 50V, LDMOS, SOT1732 搜索库存