MRF8P20165WHR3

NXP(恩智浦) 主动器件

RF Power Transistor,1930 to 1995MHz, 104W, Typ Gain in dB is 16.3 @ 1960MHz, 28V, LDMOS, SOT1827

RF Mosfet LDMOS（双） 1.98GHz ~ 2.01GHz 14.8dB 37W NI-780-4

得捷:
FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin Case 465M-01 T/R

RfMW:
RF Power Transistor,1930 to 1995 MHz, 104 W, Typ Gain in dB is 16.3 @ 1960 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1827

MRF8P20165WHR3中文资料参数规格

技术参数

频率 1.98GHz ~ 2.01GHz

无卤素状态 Halogen Free

输出功率 37 W

增益 14.8 dB

测试电流 550 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 NI-780-4

外形尺寸

封装 NI-780-4

物理参数

重量 6446.6 mg

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MRF8P20165WHR3引脚图与封装图

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MRF8P20165WHR3	NXP 恩智浦	RF Power Transistor,1930 to 1995MHz, 104W, Typ Gain in dB is 16.3 @ 1960MHz, 28V, LDMOS, SOT1827	搜索库存