频率 960 MHz
额定电压DC 26.0 V
额定电流 10 µA
无卤素状态 Halogen Free
漏源极电压Vds 26.0 V
输出功率 80 W
增益 18.5 dB
测试电流 600 mA
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 65 V
安装方式 Flange
引脚数 5
封装 TO-272
封装 TO-272
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MRF5S9080NBR1 | NXP 恩智浦 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 5Pin TO-272W T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MRF5S9080NBR1 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-272 26V 2A | 当前型号 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 5Pin TO-272W T/R | 当前型号 | |
型号: MRFE6P3300HR3 品牌: 恩智浦 封装: NI-860C3 | 功能相似 | RF Power Transistor,470 to 860MHz, 300W, Typ Gain in dB is 20.4 @ 860MHz, 32V, LDMOS, SOT1856 | MRF5S9080NBR1和MRFE6P3300HR3的区别 | |
型号: MRFE6S9125NR1 品牌: 恩智浦 封装: TO-270AB | 功能相似 | RF Power Transistor,865 to 960MHz, 125W, Typ Gain in dB is 20.2 @ 880MHz, 28V, LDMOS, SOT1736 | MRF5S9080NBR1和MRFE6S9125NR1的区别 |